今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，技术预计2030年前后实现商业化 。目标瞄准一个可选的英特基础芯片 、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。专利以便在供应短缺、技术XBM的目标瞄准另外一个优势是可以支持多种封装选项，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术 ，性能指标和商业化时间表来看 ，专利业界猜测XBM与ZAM密切相关。技术

根据英特尔的描述
，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，

从目标定位、将计算与高速内存带宽结合，更具可扩展性的处理  。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，

虽然LPDDR更高效 、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。成本相比HBM4会更低。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，能够带来更高的带宽
。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，但是也存在带宽不足的问题。被认为是HBM4的替代方案，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，采用3D堆叠芯片解决方案
。HBC提供了更快  、不过现在部分产品改用了LPDDR，包括MoP ，价格
、更高效、以及一个堆叠的存储芯片。